2018年NAND Flash價(jià)格持續(xù)大跌,DRMA漲價(jià)也告一段落,價(jià)格也在持續(xù)下滑。市場預(yù)計(jì)NAND Flash和DRAM跌價(jià)將在2019上半年持續(xù)發(fā)酵。在價(jià)格下滑的沖擊下,存儲(chǔ)廠商營收將受到影響,再加上智能型手機(jī)需求下滑,三星正在提高晶圓代工的競爭力,3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗(yàn)證,將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。
美光曾在財(cái)報(bào)中預(yù)估2019年DRAM產(chǎn)業(yè)bit產(chǎn)出量增長20%,NAND產(chǎn)業(yè)bit產(chǎn)出量增長35%-40%。NAND Flash和DRAM供應(yīng)增加是導(dǎo)致價(jià)格下滑的主因。花旗更是預(yù)估2019年DRAM價(jià)格至少會(huì)降價(jià)30%。
臺(tái)積電大約占據(jù)全球晶圓代工市場60%的份額。在3nm節(jié)點(diǎn)上,臺(tái)積電曾表示將投資200億美元左右建3nm圓晶廠,預(yù)計(jì)到2022年才會(huì)量產(chǎn)3nm制程技術(shù)。
為了彌補(bǔ)存儲(chǔ)器降價(jià)帶來的沖擊,三星2019年將加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。三星晶圓代工曾在32nm、14nm及10nm節(jié)點(diǎn)率先量產(chǎn),雖然目前在7nm節(jié)點(diǎn)上落后了臺(tái)積電,但三星已投資56億美元新建晶圓廠,計(jì)劃2019下半年開始量產(chǎn)7nm以下制程技術(shù),并推進(jìn)3nm工藝,將在2020年大規(guī)模量產(chǎn),屆時(shí)有望趕超臺(tái)積電,提高市場競爭力。
另據(jù)知情人士透露,三星電子將更換其5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人,該部門目前正在快速擴(kuò)大全球份額,三星的目標(biāo)是兩年內(nèi)贏得全球20%的5G設(shè)備市場。
目前該業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人由Kim Young-ky擔(dān)任。Kim Young-ky卸任后,將繼續(xù)擔(dān)任該公司顧問一職。三星將在下周公布年底人事變動(dòng)時(shí)宣布該消息。