據(jù)外媒Business報道稱，三星正考慮對其在中國西安興建的二期半導體工廠進行額外投資。據(jù)消息人士透露，三星計劃明年將存儲器芯片設施的資本支出小幅增加至65億美元（約合7.78萬億韓元），而計劃是將增加的這部分資金用于西安二期半導體工廠的額外投資，預計三星會在年底公布投資計劃。

據(jù)悉，三星在中國西安一期工廠于2013年建設，2014年第一代V-NAND量產(chǎn)，用于生產(chǎn)先進的3D NAND。2018年3月，三星將在此后的3年內(nèi)投資70億美元新建二期項目，根據(jù)建廠進度，該工廠預計在2019年底建設完工后，設備將搬入并開始量產(chǎn)。

有消息稱，三星西安二期工廠已安裝部分設備并開始試運行，以檢查量產(chǎn)前的情況，預計將在2020年2月開始批量生產(chǎn)。三星除了西安二期工廠，位于平澤工廠不遠處所新建的P2 Project建設也基本完成，已進行了少量的設備投資，原本三星計劃在2019下半年進行設備安裝，但由于市場需求低迷，以及貿(mào)易關(guān)系動蕩等因素影響，所以延遲到2020年第一季度進行設備安裝。

一般新工廠投產(chǎn)前，至少需要2-3個月設備準備時間，隨著技術(shù)的不斷提升，尤其是3D技術(shù)向100層以上升級，出現(xiàn)量產(chǎn)等問題的幾率增加，所以要求的精密度也越來越高，這也是為什么原廠不斷投資建廠的原因之一。

2019年8月，三星宣布推出首個100+層且單棧（Single-stack）設計的新的V-NAND，突破了目前3D NAND堆疊的限制，還計劃從2020年開始在韓國平澤工廠擴大第六代V-NAND生產(chǎn)，以更好地滿足全球客戶的需求。

三星作為NAND Flash市場排名第一的廠商，其新廠規(guī)劃、量產(chǎn)進程等備受市場關(guān)注，因為這將直接影響到NAND Flash市場供需變化。2019上半年由于產(chǎn)能供應過剩和市場需求低迷，導致NAND Flash和DRAM價格雙雙下滑，雖然7月份市場價格和需求均有所反彈，但是依然未能改變原廠財報同比大跌的頹勢。

日前，三星公布了第三季財報初步數(shù)據(jù)，初步預估營收為62兆韓元，同比減少5.3%，營業(yè)利潤則同比下滑56%。美光第四季財季凈利潤5.6億美元，不僅環(huán)比下滑33%，更是同比大跌了87%。

就目前而言，三星無論是西安二期還是平澤二期工廠，都將在2020年上半年投入量產(chǎn)3D NAND，所以短期內(nèi)對市場供應影響有限。

三星新工廠選擇在2020年投產(chǎn)，除了有助于緩解當前市場供過于求的市況外，2020年5G手機將掀起一波換機需求，而中國是重要的市場，同時對大容量NAND Flash需求也會增加，在貿(mào)易緊張的關(guān)系下，三星加大在中國新工廠的投資，將可更好的滿足中國市場需求。