DRAM價格飆漲帶動2017年全球半導體產(chǎn)值沖破4000億美元，國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI預估，在三星電子、SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴展DRAM產(chǎn)能下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再成長10%，這是很大的成長，然終端需求也急起直追，估計到2021年，DRAM年成長率上看30%。

存儲器DRAM和3D NAND是這兩年全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要推手，2017年全球半導體產(chǎn)值4000億美元當中，DRAM營收成長高達75%，3D NAND成長45%，兩大領域都遠高于整體IC產(chǎn)業(yè)20%的平均成長力道。

觀察全球DRAM產(chǎn)業(yè)三大陣營三星、海力士、美光，三星、SK海力士兩大韓系陣營在擴產(chǎn)腳步上是急踩油門，包括三星在韓國平澤(Pyeongtaek)的P1廠房和Line 15生產(chǎn)線，以及SK海力士的M14生產(chǎn)線；再者，美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴產(chǎn)計劃，但主要的增加仍是在韓系兩大陣營。

SEMI估計，2017年DRAM廠設備支出約130億美元，較前一年是成長一倍，預計2018年持續(xù)成長至140億美元水平；再者，2017年DRAM產(chǎn)能增加幅度是3%，2018年成長幅度上看10%。

針對NAND產(chǎn)業(yè)，目前有擴產(chǎn)計劃的業(yè)者包括三星平澤廠、SK海力士的M14生產(chǎn)線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)等。

SEMI也估計，2017年NAND產(chǎn)業(yè)設備支出約190億美元，較前一年100億美元飛躍性成長，預計2018年NAND產(chǎn)業(yè)設備支出上看200億美元；而3D NAND產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能在2017年成長130%，2018年預計再成長48%。

無論是DRAM和NAND Flash陣營對于擴增產(chǎn)能都是雄心壯志，但不要忽略需求端也是呈現(xiàn)大噴發(fā)姿態(tài)，根據(jù)SEMI統(tǒng)計，一直到2021年，DRAM需求端的成長率高達30%，而NAND Flash更是高達45%。

再者，驅(qū)動存儲器產(chǎn)業(yè)往前沖刺的力道，可細分為四大驅(qū)動力，第一為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)應用；第二類是大規(guī)模運算(Large-Scale computing)，涵蓋固態(tài)硬盤(SSD)、存儲器磁碟陣列Flash Arrays、人工智能(AI)、深度學習(Deep Learning)系統(tǒng)等；第三類是汽車電子相關(guān)應用；第四類是消費性產(chǎn)品、通訊產(chǎn)品等，可謂是各種應用產(chǎn)品都少不了存儲器元件。

在三星、SK海力士(SK Hynix)努力擴產(chǎn)存儲器下，韓國在2017年成為全球半導體設備支出的最大地區(qū)，從2016年的80億美元跳躍成長至180億美元，預計2018年也將達169億美元的支出金額。

同時，SEMI預估，2018年大陸在半導體設備支出金額約113.3億美元，成為第二大地區(qū)。

值得注意的是，SEMI分析，過去大陸的晶圓廠投資大多來自外來廠商，但2018年長江存儲、福建晉華、華力、合肥長鑫等許多新進業(yè)者，都計劃在大陸大舉投資設廠，并且建置中，也將會增加設備投資金額。