12月5日，三星宣布開始量產(chǎn)采用三星最新64層512Gb V-NAND芯片的首款512GB eUFS（ embedded Universal Flash Storage ）產(chǎn)品，滿足移動設(shè)備需求，該產(chǎn)品由八顆64層512Gb V-NAND芯片和控制芯片封裝而成，在同樣封裝尺寸下這款產(chǎn)品的容量是三星前代48層V-NAND 256GB eUFS容量的兩倍。可為旗艦智能手機(jī)和平板電腦提供無與倫比的存儲容量和優(yōu)異性能。

三星最新512GB eUFS產(chǎn)品還具有強(qiáng)大的讀寫性能。其順序讀寫速度分別可達(dá)860MB/s和255MB/s，512GB的嵌入式存儲器傳輸5GB等效全高清視頻剪輯到SSD僅需要6秒左右，比micro SD卡快八倍。新的eUFS產(chǎn)品隨機(jī)讀寫速度分別為42K IOPS和40K IOPS，比傳統(tǒng)microSD卡隨機(jī)讀寫速度快約400倍。移動用戶可享受無縫切換的多媒體體驗，如高分辨率連拍，文件搜索以及在雙工模式下下載視頻。

為了最大限度地提高512GB eUFS產(chǎn)品的性能以及體現(xiàn)節(jié)能性，三星為此推出了新的專有技術(shù)。512GB eUFS產(chǎn)品所使用的64層512Gb V-NAND的先進(jìn)電路設(shè)計以及控制器所具備新的電源管理技術(shù)可降低功耗。此外512GB eUFS產(chǎn)品所采用的控制器芯片還可加快從邏輯塊地址到物理塊地址的映射轉(zhuǎn)換。

三星存儲銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Jaesoo Han表示：“三星512GB eUFS產(chǎn)品可以克服使用micro SD可能出現(xiàn)的系統(tǒng)性能局限性，為新一代旗艦智能手機(jī)提供最佳嵌入式存儲解決方案。”

值得注意的是，三星計劃穩(wěn)步提升64層512Gb V-NAND芯片產(chǎn)量，擴(kuò)大256Gb V-NAND生產(chǎn)，用以應(yīng)對市場對先進(jìn)的嵌入式移動存儲需求的增加，包括SSD和高密度高性能移動存儲卡。